OS1107 ナノ構造体におけるCu薄膜/Si基板界面中央部からのき裂発生(実験力学における最近の進歩,オーガナイズドセッション)
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概要
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A novel experiment method to generate a crack at the center of the interface between a Cu thin film and Si substrate is proposed. The specimen has a characteristic configuration where the nose is processed to L-shape. Crack initiation at the center of the interface has been recognized with in-situ TEM observation. By an analysis using a model where the specimen shape is precisely reflected, the critical stress for crack initiation is evaluated to be 1061 MPa.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 2009-07-24
著者
-
北村 隆行
京都大学大学院工学研究科
-
澄川 貴志
京都大学大学院工学研究科
-
澄川 貴志
京都大学大学院
-
北村 隆行
京都大学大学院工学研究科機械物理工学専攻
-
北村 隆行
京都大学
-
宍戸 徹也
京大
-
宍戸 徹也
メタウォーター(株)
-
澄川 貴志
京都大学
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