T0301-1-2 ナノCu薄膜/Si基板界面端からのはく離き裂発生強度(マイクロ・ナノ構造体の強度・力学特性)
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概要
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Dominant factor of the crack initiation at the dissimilar interface in nanoscale components, which include an interface between a copper (Cu) thin film with a thickness of 20 nm and a silicon (Si) substrate, is investigated. Crack initiation experiments are conducted for plural components by means of a loading apparatus built in am electron microscope. Interfacial crack initiation and propagation along the Cu/Si interface is recognized by the In-situ observation. Finite element method analyses point out that the crack initiation at the interface edge is dominated by the stress field within 25 nm and that the criterion for the crack initiation is evaluated to be 1125 MPa.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 2009-09-12
著者
-
北村 隆行
京都大学大学院工学研究科
-
澄川 貴志
京都大学院
-
澄川 貴志
京大院
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北村 隆行
京大院
-
北村 隆行
京都大学大学院工学研究科機械物理工学専攻
-
北村 隆行
京大
-
宍戸 徹也
京大
-
澄川 貴志
京大 大学院工学研究科
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