半導体製造クリーンルーム環境におけるフタル酸ジブチルのシリコンウェハ表面への吸着速度定数
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概要
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半導体製造クリーンルーム(CR)における浮遊分子状汚染物質の影響は,シリコンウェハ表面酸化膜の耐圧劣化や液晶ディスプレイの表示ムラ等として出現する.本研究ではCR中の浮遊分子状汚染物質として比較的気中濃度の高いフタル酸ジブチル(DBP)について,低気中濃度における暴露時間とシリコンウェハ酸化表面への吸着量の関係を実験的に明らかにした.また,気中濃度が低い場合におけるDBPのシリコンウェハ表面への吸着速度をLangmuir吸着速度式にて示した.具体的には,気中濃度1.6μg/m^3時の吸着速度定数は6.62×10^<-6>であった.さらに,吸着初期段階における気中濃度と吸着速度定数の関係を示した.
- 2009-11-05
著者
-
三浦 邦夫
新日本空調(株)
-
稲毛 亮太
新日本空調(株)
-
高塚 威
新日本空調(株)技術開発研究所
-
神戸 正純
新日本空調(株)
-
神戸 正純
新日本空調株式会社 技術開発研究所
-
高塚 威
新日本空調株式会社 技術開発研究所
-
稲毛 亮太
新日本空調(株)技術開発研究所
-
神戸 正純
新日本空調
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三浦 邦夫
新日本空調
-
稲毛 亮太
新日本空調
-
高塚 威
新日本空調
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