分子シミュレーションによる分子状汚染物質およびSiウェハ表面の電荷分布と吸着挙動
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概要
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Siウェハ表面に吸着する分子状汚染物質の吸着挙動を解明するため,Tight-Binding分子動力学法を用いた計算化学的手法により,汚染分子およびSiウェハ表面の電荷分布を電子状態から解析した。半導体デバイス製造環境を考慮し,汚染分子として低分子シロキサン(D5),フタル酸ジブチル(DBP),フタル酸ジオクチル(DOP)を選択し,比較物質としてアンモニア(NH_3),ベンゼン(C_6H_6),水(H_2O)を選択した。解析の結果,水素終端表面と初期酸化表面を比較すると最表面における電荷分布の傾向および電荷が大きく異なる傾向を示した。また,分子状汚染物質の分子内における電荷分布について考察することにより,電荷分布の相違による吸着傾向への影響を示した。
- 2009-10-05
著者
-
高塚 威
新日本空調(株)技術開発研究所
-
神戸 正純
新日本空調(株)
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神戸 正純
新日本空調株式会社 技術開発研究所
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高塚 威
新日本空調株式会社 技術開発研究所
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神戸 正純
新日本空調
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高塚 威
新日本空調
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