分子シミュレーションによるシリコンウェハ表面への各種分子状汚染物質の平衡吸着量
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概要
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分子シミュレーション法の一つであるモンテカルロ法とClausius-Clapeyron式の融合により,シミュレーション手法だけでは解析の困難な低い気中濃度域におけるSiウェハ表面への吸着挙動を評価した.吸着汚染物質には,半導体製造クリーンルームを想定し低分子シロキサン(D5,D6),フタル酸エステル(DBP,DOP),TEPおよびε-カプロラクタムを選択し,比較物質としてヘキサデカン,IPAを選択した.各物質についてSiウェハ表面への平衡吸着量を算出し,気中濃度と平衡吸着量の関係を解析した.また,Siウェハ表面に水分子がある場合と無い場合の吸着傾向について定量的に評価を行った.シミュレーションを用いて解析した酸化ウェハモデルへのDBP平衡吸着量は曝露実験と同一オーダーとなり,計算結果の有効性を示した.
- 2006-02-05
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