リモートプラズマCVD法による有機金属錯体からの銅薄膜の作製と反応過程
スポンサーリンク
概要
著者
-
Wickramanayaka Sunil
静岡大 電子工研
-
Wickramanayaka S
Anelva Corporation
-
Sunil Wickramanayaka
静岡大学電子工学研究所
-
Wickramanayaka Sunil
Anelva Corporation Head Office
関連論文
- アルキルシラン単一原料を用いた原子状水素励起化学気相堆積
- 窒素リモートプラズマCVD法によるSiCxNy薄膜の形成
- 酸素プラズマ流における励起酸素原子の密度
- Variation of Radial Plasma Density Profile with the Excitation Frequency in a Magnetron-Type Plasma
- Modified Magnetron Type Plasma Source for Etching Applications
- Remote Plasma Deposition of a-SiC:H Films Using Novel Source Material
- Mechanism of Plasma Assisted a-SiC:H Film Deposition
- Variation of Stress and Hardness of a-Sic:H Films with Film Composition
- リモートプラズマCVD法による有機金属錯体からの銅薄膜の作製と反応過程
- Remote Plasma SiO_2 Deposition by Tetraethoxysilane with Chemically and Energetically Different Atomic Species
- Photoluminescent Properties of a-SiC:H Films Deposited by Organosilanes in Remote H2 Plasma
- リモートプラズマCVD法による有機シリコン材料からのシリコン系ワイドギャップ半導体薄膜の作製
- 水素リモートプラズマアフターグローによる有機金属錯体からの銅薄膜の堆積と評価
- Superiority of O(^1D) atom for solid and gas phase reactions over O(^3P) atom
- Properties of Atomic Oxygen obtained from Thermodynamically Non-equilibrium High Temperature Plasma
- Magnetically Enhanced Dual Frequency Capacitively Coupled Plasma Source for Large-area Wafer Processing
- リモートプラズマによる有機シリコンからのSiCの堆積