28pRB-2 ホモエピタキシャルSTO18薄膜の構造相転移(28pRB 誘電体(SrTiO_3系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2009-03-03
著者
-
藤井 康裕
電通大量子・物質
-
伊藤 満
東京工業大学応用セラミックス研究所
-
谷口 博基
東工大応セラ研
-
藤井 康裕
青学大理工
-
谷口 博基
東京工業大学応用セラミックス研究所
-
松本 祐司
東京工業大学応用セラミックス研究所
-
藤井 康裕
東京工業大学応用セラミックス研究所
-
片山 正士
東工大応セラ研
-
松本 祐司
東京工大 応用セラミックス研
-
片山 正士
東京工業大学応用セラミックス研究所
-
松本 祐司
東京工業大学 応用セラミックス研究所
-
伊藤 満
東京工業大学工業材料研究所
-
Fujii Yasuhiro
Materials and Structures Laboratory, Tokyo Institute of Technology, Yokohama 226-8503, Japan
-
谷口 博基
東京工業大学 応用セラミックス研究所
-
伊藤 満
東京工業大学・工業材料研究所
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