20pXB-2 LaNi_<5-x>Sn_xの水素吸蔵・放出繰り返しによる格子欠陥形成(領域10,領域9合同 格子欠陥・ナノ構造(水素ダイナミクス),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2007-02-28
著者
-
荒木 秀樹
阪大工
-
水野 正隆
阪大工
-
白井 泰治
Graduate School Of Engineering Kyoto University
-
荒木 秀樹
阪大工学研究科
-
水野 正隆
阪大工学研究科
-
白井 泰治
阪大工学研究科
-
伊達 亮介
阪大院
-
榊 浩司
AIST
-
水野 正隆
阪大院工
-
Araki H
Dakin Ind. Ltd. Osaka Jpn
-
Araki Hideki
Department Of Materials Science And Engineering Osaka University
-
荒木 秀樹
大阪大工
-
Araki H
Osaka Univ. Suita Jpn
-
Shirai Yasuharu
Dep. Of Materials Sci. And Engineering Kyoto Univ.
-
Araki Hideki
Graduate School Of Engineering Osaka University
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