電子レンジ庫内に置かれた被加熱物質の温度分布解析 : 温度に対する誘電率変化を考慮した場合(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
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概要
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本研究では,温度上昇に伴う複素比誘電率の変化を考慮した電磁界と全ての伝熱現象(熱伝導,熱対流,熱放射)を計算可能な電磁界伝熱連成解析手法(以下,FDTD-SIMPLE-MR法と呼ぶ.)を用い,電子レンジ庫内に置かれた被加熱物質の温度分布を計算した.そして,従来の複素比誘電率の変化を考慮しない計算結果及び実験結果と比較検討した.この結果,本解析結果と実験結果の最高温度が良好に一致することを確認した.また,温度が大きく上昇した場合に従来の計算結果と最高温度に差異が生じることを定量的に確認した.
- 2009-01-07
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