Cuイオンドリフトに起因したCu配線間TDDB劣化モデル(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)

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概要

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• Cuイオンドリフトに起因したCu配線間経時絶縁破壊(Time-Dependent Dielectric Breakdown: TDDB)劣化メカニズムを検討し、寿命予測モデルとして√Eモデル(寿命の対数が√Eに線形比例)を新たに提案する。Cuイオンドリフトメカニズムとしては二つのモデル(Schottky型及びPoole-Frenkel型)を検討し、線間TDDB寿命及びリーク電流の電界・温度依存性の結果からモデル検証した結果を報告する。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2007-11-09

著者

• 小守 純子

  (株)ルネサステクノロジ解析技術開発部

• 山本 茂久

  (株)ルネサステクノロジ解析技術開発部

• 鈴村 直仁

  (株)ルネサステクノロジ解析技術開発部

• 小笠原 誠

  (株)ルネサステクノロジ解析技術開発部

• 真壁 一也

  (株)ルネサステクノロジ解析技術開発部

• 村上 英一

  (株)ルネサステクノロジ解析技術開発部

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