ビア付Cu配線のTDDB信頼性予測(配線・実装技術と関連材料技術)

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概要

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• 32nm世代におけるビア付Cu配線のTDDB寿命ばらつきをモンテカルロ・シミュレーションで予測した。TDDB寿命は最小スペースばらつきの影響を強く受け、かつアライメントずれしたビアは配線から突き出すため電界集中を起こす。ビアのミスアライメントが3σで15nmの場合、電界集中補正によってメジアン寿命は1/2に低下し、累積故障分布下端のばらつきが極端に大きくなることが分かった。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2008-02-01

著者

• 鈴村 直仁

  (株)ルネサステクノロジ解析技術開発部

• 児玉 大介

  (株)ルネサステクノロジプロセス開発部

• 宮崎 博史

  (株)ルネサステクノロジプロセス開発部

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