シリコンウェハのレーザ加工におけるSF_6アシストガス効果
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概要
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Reduction of debris adhesion and increasing the process performance by SF_6 assist laser processing of silicon wafer was investigated. It is observed that debris adhesion was drastically reduced when SF_6 gas was used to compare the case of He gas. Shadow graphic imaging experiments were shown a density contrast region in expanded gases, which would indicate the evaporation of silicon particles by chemical reaction with SF_6 and silicon particles at the plasma-heating region. We found that process performance of SF_6 assist laser processing was higher than the He assist processing, and debris adhesion was suppressed effectively in case where the intense plasma was formed during processing.
- 公益社団法人精密工学会の論文
- 2007-10-05
著者
-
河西 敏雄
東京電機大学
-
高橋 邦充
産業創造研究所
-
米山 友之
東京電機大・工・精密機械
-
河西 敏雄
(株)河西研磨技術特別研究室
-
相川 力
東京電機大学
-
米山 友之
東京電機大学
-
河西 敏雄
東京電機大
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