Siバイメタルを利用した温度変化型可変容量コンデンサの試作・評価
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概要
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近年,MEMSセンサの小型化が求められている.その小型化の方法として,MEMSと周辺回路を積層させ,小型化を図った圧力センサが報告されている,この技術を応用することで,従来より小型化した温度センサICが作製できれば,集積回路の省スペース化などに貢献できると考えられる.そこで本研究では,MEMSと周辺回路を積層させて作製する温度センサICの温度検知部分をMEMS部分で行うための基礎的研究として,SiとAlのバイメタルを利用した温度変化型可変容量コンデンサを提案・試作を行い,このコンデンサの温度変化に対する特性評価を行った.その結果,可動Siバイメタル部を形成したコンデンサは,形成しないコンデンサより温度上昇に対して顕著な容量上昇を示すことが分かった.
- 2007-08-02
著者
-
原田 知親
山形大学大学院理工学研究科電気電子工学分野
-
奥山 澄雄
山形大学工学部電気電子工学科
-
松下 浩一
山形大学工学部電気電子工学科
-
長沼 博
山形大学工学部電気電子工学科
-
長沼 博
山形大学工学部
-
奥山 澄雄
山形大学
-
松下 浩一
山形大学大学院理工学研究科電気電子工学分野
-
奥山 澄雄
山形大学大学院理工学研究科電気電子工学分野
-
原田 知親
山形大学工学部
-
鈴木 敦広
山形大学工学部
-
原田 知親
山形大学大学院理工学研究科
-
奥山 澄雄
山形大学工学部
-
松下 浩一
山形大学工学部
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