高真空中接触角測定法によるGaAs表面状態の「その場」観察
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概要
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高真空中で20〜550°Cの範囲の基板温度に保たれたGaAs基板の表面状態を明らかにするため, GaAs基板に付着したGa液滴とGaAs表面とがなす接触角を測定する装置を開発した.この装置を用いた結果, 酸化膜を成長させたGaAs(100)基板上のGa液滴の接触角は基板温度によらずぬれ性が変化せず真空中では140°の値を示すこと, 酸化膜を除去した場合にはぬれ性が増し基板温度の上昇につれて接触角が減少すること, 更に, ぬれの程度はGaAs基板の面方位に依存することが明らかとなった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-02-01
著者
-
中山 健
電気通信大学大学院情報システム学研究科
-
奥山 克郎
山形大学工学部電気電子工学科
-
奥山 澄雄
山形大学工学部電気電子工学科
-
松下 浩一
山形大学工学部電気電子工学科
-
門原 拓也
山形大学工学部電気電子工学科
-
中山 健
山形大学工学部電気電子工学科
-
長沼 博
山形大学工学部電気電子工学科
-
長沼 博
山形大学工学部
-
奥山 澄雄
山形大学
-
中山 健
電通大 大学院情報システム学研究科
-
松下 浩一
山形大学大学院理工学研究科電気電子工学分野
-
奥山 澄雄
山形大学大学院理工学研究科電気電子工学分野
-
Okuyama Katsuro
Department Of Electrical And Information Engineering Faculty Of Engineering Yamagata University
-
Okuyama Katsuro
Department Of Electrical And Information Engineering Yamagata University
-
奥山 克郎
山形大学工学部
-
OKUYAMA Katsuro
Department of Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Yamagata University
-
奥山 澄雄
山形大学工学部
-
松下 浩一
山形大学工学部
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