擬似ホール効果を利用したMOSFET型応力検出素子の特性評価
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概要
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現在の集積回路では,Siチップを保護するためにパッケージングが施されるが,それによってチップ内に応力が発生する場合がある.それによって生じる故障や回路特性の変化が問題となるため,パッケージ内部のチップに印加される応力の評価が必要となる.しかし,現存する応力検出素子では,回路とは別の領域に集積化する必要があり,集積化面積が増える。そこで,擬似ホール効果を利用したMOSFET型応力検出素子を用いることで,回路と一体化して集積回路への組み込みが可能となるため,集積化面積を増やさずに計測できる.本研究では,擬似ホール効果を応力検出原理としたMOSFET型応力検出素子の応力検出動作の検討と,素子の測定評価をおこなった.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-12-10
著者
-
松下 浩一
山形大学工学部電気電子工学科
-
奥山 澄雄
山形大学大学院理工学研究科電気電子工学分野
-
原田 知親
山形大学工学部
-
梅津 哲也
山形大学大学院理工学研究科
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奥山 澄雄
山形大学工学部
-
梅津 哲也
山形大学工学部
-
松下 浩一
山形大学工学部
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