サブスレッショルドのみで動作する極低電圧アナログ回路向け0.5V動作温度補償回路
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
サブスレショルド電流で駆動する0.5V CMOSアナログ増幅器の試作評価 (情報センシング)
-
サブスレショルド電流で駆動する0.5V CMOSアナログ増幅器の試作評価(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
-
AS-1-3 0.5V以下の電源で駆動する弱反転動作アナログ回路(AS-1.サブスレッショルドCMOS回路技術,シンポジウムセッション)
-
A-1-21 V_ばらつきを考慮した極低電圧アナログ回路向け電源供給回路(A-1. 回路とシステム,一般セッション)
-
A-1-49 弱反転領域動作極低電圧駆動アナログ回路のI/O回路との挙動(A-1.回路とシステム,一般セッション)
-
A-1-21 弱反転動作を用いた極低電圧アナログ増幅回路(A-1. 回路とシステム,一般セッション)
-
A-1-8 センサ情報処理向けアナログ情報記憶保持回路(A-1. 回路とシステム,一般セッション)
-
動作周波数を向上させた0.5Vサブスレッショルド駆動アナログ増幅回路の設計 (集積回路)
-
広入出力範囲を有する極低電圧駆動2段増幅回路(若手研究会)
-
キャパシタカップリングされた基板ゲートをもつSOI-MOSFETひずみ検出素子の動作特性(センサデバイス,MEMS,一般)
-
サブスレショルド電流で駆動する0.5V CMOSアナログ増幅器の試作評価(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
-
C-12-12 一軸応力検知用SOI-MOSFETひずみ検出回路の試作評価(センサ・有線通信,C-12.集積回路,一般セッション)
-
C-5-11 SOI-nMOSFETひずみセンサの作製と評価(C-5.機構デバイス,一般講演)
-
Siバイメタルを利用した温度変化型可変容量コンデンサの試作・評価
-
SOI基板を利用したMOSFET型ひずみ検出素子の試作と評価
-
SOI-MOSFETを用いた能動型ひずみセンサの試作評価(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
-
SOI-MOSFETを用いた能動型ひずみセンサの試作評価(センサと応用,アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
-
陰極にPd-Auを用いた有機EL水素ガスセンサの作製と評価(特別ワークショップ:電子デバイスとしてみた有機トランジスタ・太陽電池の現状と展望)
-
ひずみセンサ一体型ダイアフラム構造水素ガスセンサの作製
-
記憶保持動作つきCMOSアナログ記憶回路(アナログ・デジアナ・センサ,通信用LSI)
-
記憶保持動作つきCMOSアナログ記憶回路 (情報センシング)
-
ACS-1-3 極低電圧駆動アナデジ混載回路における弱反転動作増幅回路(ACS-1.最新アナデジ混載LSI技術,シンポジウムセッション)
-
ACS-1-3 極低電圧駆動アナデジ混載回路における弱反転動作増幅回路(ACS-1.最新アナデジ混載LSI技術,シンポジウムセッション)
-
C-12-60 極低電圧駆動ディジタルアンプ用0.5V動作三角波発生回路(C-12.集積回路,一般セッション)
-
サブスレショルド動作PWM駆動アナログ差動増幅器の評価 (集積回路)
-
サブスレショルド動作PWM駆動アナログ差動増幅器の評価 (情報センシング)
-
動作周波数を向上させた0.5Vサブスレッショルド駆動アナログ増幅回路の設計(ポスター講演,学生・若手研究会)
-
サブスレショルド動作PWM駆動アナログ差動増幅器の評価(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
-
C-12-32 擬似ホール効果を用いたMOSFET応力検出素子の動作評価(C-12.集積回路,一般セッション)
-
サブスレショルド領域で動作するPWM駆動アナログ差動増幅回路 (アンプ)
-
0.5V駆動アナログ増幅回路におけるサブスレッショルド領域のみでの温度補償法の検討
-
サブスレッショルドのみで動作する極低電圧アナログ回路向け0.5V動作温度補償回路
-
擬似ホール効果を利用したMOSFET型応力検出素子の特性評価 (集積回路)
-
A-1-9 極低電圧動作3入力2出力アナログ比較器の設計と評価(A-1.回路とシステム,一般セッション)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク