塗布形成したゲート絶縁膜の誘電特性(センサーデバイス・MEMS・一般)
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概要
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silica系絶縁体薄膜において誘電率を測定することで、一定量以上のイオン性不純物の濃度及び拡散係数を求められることを示した。このsilica系絶縁体薄膜によりMIS構造の素子を作製してC-V測定を行い、蓄積状態から空乏状態に変わる閾値電圧からイオン性不純物の極性を決定した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-09-01
著者
-
渡邊 直樹
東日本旅客鉄道株式会社
-
渡辺 直樹
大阪府立大学大学院工学研究科
-
内藤 裕義
大阪府立大学大学院工学研究科
-
Naito H
Univ. Osaka Prefecture Osaka
-
内藤 裕義
大阪府立大学工学部電子物理工学科
-
Naito H
College Of Engineering Osaka Prefecture University
-
Naito Hiroyoshi
Department Of Physics And Electronics University Of Osaka Prefecture
-
Naito Hiroyoshi
Department Of Physics And Electronics Osaka Prefecture Univerity
-
宮澤 達徳
大阪府立大学大学院工学研究科
-
Naito H
Osaka Prefecture Univ. Osaka Jpn
-
内藤 裕義
大阪府立大学 先端科学研究所
-
内藤 裕義
大阪府立大学大学院工学研究科電子物理工学分野
-
内藤 裕義
大阪府立大学大学院 工学研究科 電子・数物系専攻
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