Generation Rule of the Slip Dislocation in LEC GaAs Crystal

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概要

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• 社団法人応用物理学会の論文
• 1986-07-20

著者

• 水木 純一郎

  原子力機構

• Ishikawa T

  Riken Harima Institute

• Kitano T

  Tokyo Electron Kyushu Ltd. Kumamoto Jpn

• Ishikawa T

  National Space Dev. Agency Of Japan Ibaraki Jpn

• Ishikawa T

  Kyushu Univ. Fukuoka Jpn

• Matsui Junji

  Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation

• KITANO Tomohisa

  Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation

• Kitano T

  Fundamental Research Laboratories Nec Corporation

• Kitano Tomohisa

  Fundamental Reseach Laboratories Nec Corporation

• Ishikawa Tetsuya

  Riken Harima Institute

• ISHIKAWA Tetsuya

  National Laboratory for High Energy Physics

• ONO Haruhiko

  Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation

• Ishikawa Tomonori

  Fujitsu Limited

• Ishikawa Takatoshi

  Department Of Applied Physics Faculty Of Science Fukuoka University

• Ishikawa Tetsuya

  National Agricultural Research Center

• Ono Haruhiko

  Fundamental Research Laboratories Nec Corporation

• Matsui Junji

  Fundamental Research Laboratories Nec Corporation

• Kitano T

  Ulsi Device Development Laboratories Nec Corporation

• 水木 純一郎

  原子力機構量子ビーム

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