Effects of InP Surface Treatment on the Electrical Properties and Structures of AlN/n-InP Interface
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概要
- 論文の詳細を見る
- 1989-01-20
著者
-
水木 純一郎
原子力機構
-
Matsumoto Y
Materials And Structures Laboratory Tokyo Institute Of Technology
-
AKIMOTO Katsuhiro
Institute of Applied Physics, University of Tsukuba
-
Hirosawa Ichiro
Fundamental Research Laboratory, NEC Corporation
-
Hirosawa I
Fundamental Research Laboratory Nec Corporation
-
Hirosawa Ichiro
Fundamental Research Laboratories Nec Corporation
-
Hirosawa Ichiro
Department Of Physics Tohoku University:semiconductor Research Laboratory Fundamental Research Labor
-
AKIMOTO Koichi
Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation
-
Matsumoto Yoshinari
Department Of Electrical And Electronic Engineering Toyo University
-
Akimoto K
Institute Of Applied Physics University Of Tsukuba
-
MATSUMOTO Yoshishige
Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation
-
Matsui Junji
Research Institute For Food Science Kyoto University
-
Fujieda S
Nec Corp. Ibaraki Jpn
-
Fujieda Shinji
Fundamental Research Laboratories Nec Corporation:microelectronics Research Laboratories Nec Corpora
-
Fujieda Shinji
Department Of Applied Physics Faculty Of Engineering The University Of Tokyo
-
Matsumoto Y
Nara Inst. Sci. And Technol. Ikoma‐shi Jpn
-
Matsumoto Yoshishige
Fundamental Research Laboratories Nec Corporation
-
Fujieda Shinji
Fundamental Research Laboratories Nec Corporation
-
Matsumoto Yuji
Materials And Structures Laboratory Tokyo Institute Of Technology
-
水木 純一郎
原子力機構量子ビーム
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