The Effect of Reduction of Dislocation Density on the Lattice Distortions in Undoped GaAs Single Crystal Grown by LEC Method
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 1986-04-20
著者
-
水木 純一郎
原子力機構
-
Ishikawa T
Riken Harima Institute
-
Kitano T
Tokyo Electron Kyushu Ltd. Kumamoto Jpn
-
Ishikawa T
National Space Dev. Agency Of Japan Ibaraki Jpn
-
Ishikawa T
Kyushu Univ. Fukuoka Jpn
-
Matsui Junji
Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation
-
KITANO Tomohisa
Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation
-
Kitano T
Fundamental Research Laboratories Nec Corporation
-
Kitano Tomohisa
Fundamental Reseach Laboratories Nec Corporation
-
Ishikawa Tetsuya
Riken Harima Institute
-
ISHIKAWA Tetsuya
National Laboratory for High Energy Physics
-
Ishikawa Tomonori
Fujitsu Limited
-
Ishikawa Takatoshi
Department Of Applied Physics Faculty Of Science Fukuoka University
-
Ishikawa Tetsuya
National Agricultural Research Center
-
Matsui Junji
Fundamental Research Laboratories Nec Corporation
-
Kitano T
Ulsi Device Development Laboratories Nec Corporation
-
水木 純一郎
原子力機構量子ビーム
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