Control of the Electrical Properties of AlN/thin-a-Si/GaAs MIS Diodes by GaAs Surface Pretreatments

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概要

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• 1990-02-20

著者

• 水木 純一郎

  原子力機構

• Matsumoto Y

  Materials And Structures Laboratory Tokyo Institute Of Technology

• AKIMOTO Katsuhiro

  Institute of Applied Physics, University of Tsukuba

• Hirosawa Ichiro

  Fundamental Research Laboratory, NEC Corporation

• Hirosawa I

  Fundamental Research Laboratory Nec Corporation

• Hirosawa Ichiro

  Fundamental Research Laboratories Nec Corporation

• Hirosawa Ichiro

  Department Of Physics Tohoku University:semiconductor Research Laboratory Fundamental Research Labor

• AKIMOTO Koichi

  Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation

• Mochizuki Yasunori

  Fundamental Research Laboratories Nec Corporation

• Mochizuki Yasunori

  Fundamental Research Laboratories Nec Coeporation

• Matsumoto Yoshinari

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Toyo University

• Akimoto K

  Institute Of Applied Physics University Of Tsukuba

• MATSUMOTO Yoshishige

  Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation

• Matsui Junji

  Research Institute For Food Science Kyoto University

• Fujieda S

  Nec Corp. Ibaraki Jpn

• Fujieda Shinji

  Fundamental Research Laboratories Nec Corporation:microelectronics Research Laboratories Nec Corpora

• Fujieda Shinji

  Department Of Applied Physics Faculty Of Engineering The University Of Tokyo

• Matsumoto Y

  Nara Inst. Sci. And Technol. Ikoma‐shi Jpn

• Matsumoto Yoshishige

  Fundamental Research Laboratories Nec Corporation

• Fujieda Shinji

  Fundamental Research Laboratories Nec Corporation

• Matsumoto Yuji

  Materials And Structures Laboratory Tokyo Institute Of Technology

• 水木 純一郎

  原子力機構量子ビーム

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