Electron Spin-relaxation Dynamics in GaAs/AlGaAs Quantum Wells and InGaAs/InP Quantum Wells
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 1999-08-15
著者
-
武藤 真三
山梨大学工学部
-
Wada Osamu
Materials & Electronic Device Laboratory Mitsubishi Electric Corporation
-
Nakata Y
Fujitsu Ltd. Atsugi Jpn
-
MUTO Shunichi
Department of Applied Physics, Hokkaido University
-
NISHIKAWA Yuji
Fujitsu Laboratories Ltd.
-
Tackeuchi Atsushi
Department Of Applied Physics Waseda University
-
Kuroda Takamasa
Department of Applied Physics, Waseda University
-
Wada Osamu
FESTA Laboratories
-
Muto Shigeki
Department Of Physics School Of Science Tokai University
-
Wada O
The Department Of Electrical And Electronics Engineering Kobe University
-
Wada Osamu
Fujitsu Laboratories
-
Wada O
The Femtosecond Technology Research Association:the Kobe University.
-
武藤 真三
山梨大学
-
Nishikawa Y
Toshiba Corp. Kawasaki Jpn
-
Nishikawa Y
Materials And Devices Research Laboratories Toshiba Corporation
-
Nishikawa Yukie
Advanced Lsi Technology Laboratory Corporate Research & Development Center Toshiba Corporation
-
Nishikawa Yukie
Corporate Research & Development Center Toshiba Corporation
-
Muto S
Kek Ibaraki
-
Wada Osamu
The Femtosecond Technology Research Association:the Kobe University.
-
Muto Shinzo
Department Of Electrical Engineering And Computer Science Faculty Of Engineering Yamanashi Universit
-
武藤 俊介
名古屋大学
-
Kuroda Takamasa
Department Of Applied Physics Waseda University
-
Tackeuchi A
Department Of Applied Physics Waseda University
-
Muto Shunichi
Department of Applied Physics, Hokkaido Univercity, Sapporo 060-8628, Japan
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