Deep-Submicron Single-Gate Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) Technology Using Channel Preamorphization
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 1998-03-30
著者
-
小林 孝嘉
東京大学理学系研究科
-
DEGUCHI Kimiyoshi
NTT System Electronics Laboratories
-
Miyake Masayasu
Ntt System Electronics Laboratories
-
Takahashi M
Semiconductor Leading Edge Technologies Inc
-
KOBAYASHI Toshio
NTT System Electronics Laboratories
-
SAKAKIBARA Yutaka
NTT System Electronics Laboratories
-
TAKAHASHI Mitsutoshi
NTT System Electronics Laboratories
-
Deguchi K
Department Of Electronics And Information Systems Osaka University
-
Sakakibara Y
National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology (aist)
-
Takahashi Minoru
Ceramic Engineering Research Laboratory Nagoya Institute Of Technology
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