Dependence of Hot Electron Transport on Base Layer Thickness of Magnetic Tunnel Transistor
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概要
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- Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physicsの論文
- 2004-05-15
著者
-
小林 孝嘉
東京大学理学系研究科
-
小林 孝嘉
電気通信大学量子・物質工学専攻
-
KOBAYASHI Tadashi
Department of Physics, Aoyama Gakuin University
-
神保 睦子
大同工業大学
-
HIROSE Takakazu
Department of Physics Engineering, Faculty of Engineering, Mie University
-
FUJIWARA Yuji
Department of Physics Engineering, Faculty of Engineering, Mie University
-
JIMBO Mutsuko
Department of Electrical Engineering, Daido Institute of Technology
-
SHIOMI Shigeru
Department of Physics Engineering, Faculty of Engineering, Mie University
-
MASUDA Morio
Department of Physics Engineering, Faculty of Engineering, Mie University
-
塩見 繁
三重大学大学院工学研究科
-
Kobayashi T
Department Of Physics Engineering Faculty Of Engineering Mie University
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