3. 親ガスおよびラジカルの気相解離過程 : 材料プロセス用フルオロカーボンプラズマに関する基礎研究の進展
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概要
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To investigate the mechanism of C_4F_8 dissociation, we made extensive measurements of electrons and radicals, as well as a theoretical study. These showed that the amount of light fluorocarbon radicals increased with increasing electron density. The dissociation of C_4F_8 was analyzed by using rate equations. The total dissociation rate coefficient of C_4F_8 was 1×10^<-8>cm^3/s, and CF_2 radicals were mainly generated from products of C_4F_8 dissociation. F was mainly generated from CF_2 by electron-impact dissociation and lost by pumping. We estimate that the C_2F_4 density was roughly comparable to the densities of CF and CF_3, and that the surface loss probability of C_2F_4 increased with increasing electron density.
- 社団法人プラズマ・核融合学会の論文
- 1999-07-25
著者
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林 久貴
技術研究組合超先端電子技術開発機構(aset)プラズマ技術研究室
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林 久貴
技術研究組合 超先端電子技術開発機構 プラズマ技術研究室
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関根 誠
技術研究組合超先端電子技術開発機構(aset)プラズマ技術研究室
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