プラズマエッチングのコンピュータシミュレーション : 計算(非平衡)プラズマ物理からのアプローチ
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概要
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Dry etching process in nonequilibrium RF discharges in HCI gas is simulated by using relaxation continuum model based on a set of collision cross sections between the electron and HC1. Discussion is focused on the negative ion formation and confinement, and its influence on the discharge plasma structure. Great advantage of electronegative gases in narrow gap reactive ion etching is also clarified.
- 社団法人プラズマ・核融合学会の論文
- 1993-01-25
著者
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