2.緩和連続モデルによる酸化膜エッチング用プラズマのシミュレーション(プラズマエッチングのシミュレーション)
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概要
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Plasma for oxide etching is usually provided in a two-frequency capacitively coupled plasma(2f-CCP)in mixtures of C_jF_k molecules and Ar. The plasma is produced by very high frequency(VHF), and ions are accelerated to the wafer by a low frequency(LF) voltage source under a collision-dominated region. The continuum(fluid)model will be appropriate for the purpose of simulating the plasma structure and the surface interaction within a reasonable computational time. In this article, we describe the governing equation system and an example regarding of a low temperature plasma for etching in 2f-CCP, by using the relaxation continuum model.
- 2001-10-25
著者
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