表面ゾル-ゲル法による有機EL素子発光特性向上
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概要
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ITO基板上に絶縁層としてSiO_2薄膜を表面ゾル-ゲル法により形成した。このSiO_2成長の様子を推奨振動子微量天秤法によりモニターし、X線光電子分光法(XPS)で薄膜が形成されていることを確認した。SiO_2薄膜を形成させたITO上に発光層をスピンキャスト法で製膜した。Caを陰極、その上にAlをCa保護層として真空蒸着し、素子を完成させた。ITO/SiO_2/発光層/Ca/Alの素子はITO/発光層/Ca/Alの素子よりも高い外部量子効率を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-28
著者
-
白鳥 世明
慶応義塾大学理工学部
-
白鳥(謝) 世明
慶應義塾大学 理工学部
-
白鳥 世明
慶應義塾大学理工学部白鳥研究室
-
白鳥 世明
慶応義塾大学ナノテク次世代薄膜プロジェクト
-
三井 喬士
慶応義塾大学理工学部
-
白鳥 世明
慶應義塾大学理工学部物理情報工学科
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