YIG膜装荷スロット線路で励振される静磁表面波の放射抵抗
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概要
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スロット線路を用いた静磁波S/NエンハンサはYIG(Yttrium Iron Garnet)膜片面に導体を密着させることができるため,マイクロストリップ線路を用いたものに比較し広帯域に動作させることができる.S/Nエンハンスメント量は線路を伝搬する電磁波から静磁波への変換によって生ずる放射抵抗に比例する.ここでは放射抵抗を理論的に求め、従来提案している対称スロット線路形の構成が,S/Nエンハンスメント量の改善に効果のあることを示す.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
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