ヘキサメチルジシランを用いた直流放電プラズマCVDによる生成膜
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概要
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円筒状電極を同軸状に配置して生成された熱陰極直流放電プラズマを用いて、ケイ素系化合物の成膜実験を行った。成膜材料として、シランよりは取り扱いの容易なヘキサメチルジシラン({CH_3)_3Si}_2、略荘:HMDS)を水素で希釈して用いた。生成膜は絶縁性を有するケイ素系化合物であるが、その組成は基板温度とHMDS濃度に強く依存することが判明した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-10-20
著者
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神藤 正士
静大工:静大院電子科研
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神藤 正士
静岡大学工学部
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江藤 昭弘
静岡大学工学部技術部実験教育支援室
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江藤 昭弘
静大工
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山梨 秀則
矢崎総業応用研究事業部
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神野 敏明
矢崎総業応用研究事業部
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山梨 秀則
矢崎部品株式会社
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