コンタクトエッチでのチャージングダメージによるゲート破壊について

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概要

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SOI構造では、コンタクトエッチ時に埋め込み酸化膜に対しチャージングダメージが発生する。そのダメージはホール径が小さくなると顕著になり、埋め込み酸化膜を破壊する場合がある。又、アンテナMOSキャパシターによるゲート酸化膜の評価ではBOXが破壊されていない場合、SOI構造はBulkウェハに比べ優れている。しかし、チャージングダメージでBOXが破壊した場合、その破壊に伴いゲート酸化膜も破壊する。BOXの耐圧を向上させれば、SOI構造の利点が生き、ゲート酸化膜の劣化を抑制できる。
社団法人電子情報通信学会の論文
1999-03-10

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