完全空乏動作シャローSIMOX/CMOSトランジスタ技術

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概要

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• 高速・低電圧動作のSOI CMOSデバイスにおいては、低いしきい値電圧(Vth〜0.25v)と、高い制御性及び再現性が必要である。我々は0.35μm完全空乏動作シャローSIMOX/MOSFETsにおいて、特性及び量産性の改善のため、1)Vth調整用注入の最適化を行うことによるTop Si膜厚ばらつきの特性への影響の低減 2)チャネル-ドレイン間の水平方向濃度プロファイリングを行うことによる、短チャネル効果(SCE)及び寄生バイポーラ効果の改善の2点を採用し効果を確認した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1997-03-14

著者

• 鍵沢 篤

  シャープ(株)IC事業本部 プロセス開発センター ロジックプロセス開発室

• Adan A.

  シャープ(株)ic天理事業本部超lsi開発研究所

• Adan A

  シャープ 超lsi開研

• 仲 敏男

  シャープ(株)IC天理事業本部超LSI開発研究所

• 金子 誠二

  シャープ(株)IC天理事業本部超LSI開発研究所

• 仲 敏男

  シャープ(株)ic天理開発本部 超lsi開発研究所

• 仲 敏男

  シャープ(株)IC天理事業本部 超LSI開発研究所

• 金子 誠二

  シャープ(株)IC天理事業本部 超LSI開発研究所

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