SOI構造におけるゲート酸化膜のプロセスチャージングによる劣化メカニズム
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概要
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各種SOI基板にて作製したデバイスにおけるゲート酸化膜歩留と埋め込み酸化膜(BOX)歩留には相関があり、BOX耐圧を向上させるとゲート酸化膜歩留が向上することがわかった。このことから、SOIデバイスのゲート酸化膜は、プロセス中のチャージングダメージを受けると、BOXが破壊するのにともない、ゲート酸化膜が劣化するという劣化メカニズムをとることが示唆される。また、BOX耐圧を向上させた基板をもちいることにより、ゲート酸化膜の劣化を抑制することが可能となる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-02-19
著者
-
大西 哲也
シャープ株式会社 技術本部
-
大西 哲也
シャープ(株)IC事業本部 プロセス開発センター ロジックプロセス開発室
-
鍵沢 篤
シャープ(株)IC事業本部 プロセス開発センター ロジックプロセス開発室
-
占部 大三
シャープ(株)IC天理開発本部超LSI開発研究所
-
上田 多加志
シャープ(株)IC天理開発本部超LSI開発研究所
-
沖 敏男
シャープ(株)IC天理開発本部超LSI開発研究所
-
A.O. Adan
シャープ(株)IC天理開発本部超LSI開発研究所
-
Adan A
シャープ Ic開発本部
-
Adan Alberto
シャープ(株)ic天理開発本部 超lsi開発研究所
-
占部 大三
シャープ(株)IC天理事業本部 超LSI開発研究所
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