大西 哲也 | シャープ(株)IC事業本部 プロセス開発センター ロジックプロセス開発室

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概要

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関連著者

• 大西 哲也

  シャープ株式会社 技術本部

• 大西 哲也

  シャープ(株)IC事業本部 プロセス開発センター ロジックプロセス開発室

• 鍵沢 篤

  シャープ(株)IC事業本部 プロセス開発センター ロジックプロセス開発室

• 樋上 佳則

  シャープ(株)IC事業本部 プロセス開発センター ロジックプロセス開発室

• 占部 大三

  シャープ(株)IC天理開発本部超LSI開発研究所

• 上田 多加志

  シャープ(株)IC天理開発本部超LSI開発研究所

• 沖 敏男

  シャープ(株)IC天理開発本部超LSI開発研究所

• A.O. Adan

  シャープ(株)IC天理開発本部超LSI開発研究所

• Adan A

  シャープ Ic開発本部

• Adan Alberto

  シャープ(株)ic天理開発本部 超lsi開発研究所

• 占部 大三

  シャープ(株)IC天理事業本部 超LSI開発研究所

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著作論文

• コンタクトエッチでのチャージングダメージによるゲート破壊について
• SOI構造におけるゲート酸化膜のプロセスチャージングによる劣化メカニズム

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