偏光双安定面発光半導体レーザを用いた全光学的3R中継器の動作特性の解析
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
面発光半導体レーザの偏光双安定性を利用した全光学的3R中継器の動作特性を,半導体レーザ内の利得飽和とレーザ発振波長に対する注入光波長の離調を考慮したレート方程式を用いて解析した。信号光,クロックパルス,リセットパルスの強度を最適化した結果,約100 Gbit/s程度の全光学的3R中継器が実現可能であることがわかった。ビットレートが10Gbit/sの場合,約16dBの光利得が得られ,160Gbit/sにおいてもON-OFF比の改善が可能である。信号光の強度が弱く,クロック信号の強度が強い程,強度揺らぎと時間ジッターが改善されるが,ON-OFF比が低下することがわかった。
- 2002-08-23
著者
関連論文
- 私の発言 変わった現象を見たときに,『面白いからもう少し調べてみよう』という,何か余裕のようなものが研究者には欲しい
- B-12-1 偏光双安定面発光半導体レーザを用いた10Gb/s光バッファメモリ(B-12.フォトニックネットワーク,一般講演)
- C-4-4 偏光双安定面発光半導体レーザを用いた光シフトレジスタ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-28 偏光双安定面発光半導体レーザを用いた2ビット光バッファメモリ(光信号処理・波長変換,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-5 偏光双安定面発光半導体レーザを用いた1ビット光バッファメモリ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
- C-4-11 偏光双安定面発光半導体レーザを用いた全光型信号再生(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- C-4-33 SOA中のFWMを用いたOTDM信号の全光超高速スイッチング(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-4-48 SOA 中の FWM を用いた 160 Gbit/s 信号の時間分割/波長分割 DEMUX
- C-3-114 周波数領域干渉法による複数の短パルス光の位相測定
- SOAを用いた160Gbit/s OTDM信号の時間分割/波長分割DEMUX(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- 光物理
- GaAs(110)基板上に作製したスピン面発光半導体レーザの発振円偏光スイッチング(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 偏光双安定VCSELと光バッファメモリへの応用
- GaAs(110)基板上に作製したスピン面発光半導体レーザの光励起円偏光発振(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- GaAs(110)上のGaAs/AlGaAs量子井戸の結晶成長と電子スピン緩和時間の評価(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- C-4-11 長波長帯偏光双安定面発光半導体レーザを用いた光シフトレジスタ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- BS-7-2 偏光双安定面発光半導体レーザを用いた全光型バッファメモリ(BS-7. 「偏波への挑戦」〜光通信システムにおける現状と課題〜,シンポジウムセッション)
- 半導体光非線形機能デバイスの発展
- VCSELの全光型信号処理への応用 (特集 VCSELの最先端技術と応用,そして将来展望)
- モード結合型LiNbO_3単相駆動超音波モータの振動子辺比による特性について
- 山形大学における3年次学生実験への創成テーマの導入事例
- 半導体光位相共役器を用いた80Gbit/s、RZ/キャリア抑圧RZ信号光のスタンダードシングルモードファイバ200km伝送
- 半導体光位相共役器を用いた80Gbit/s、RZ/キャリア抑圧RZ信号光のスタンダードシングルモードファイバ200km伝送
- 半導体光位相共役器を用いた80Gbit/s、RZ/キャリア抑圧RZ信号光のスタンダードシングルモードファイバ200km伝送
- B-10-93 半導体光位相共役器を用いた1.55μm帯、80Gbit/sRZ信号の1.3μm零分散ファイバ208km伝送
- 定在波屈曲振動円板を用いた非接触型超音波モータの特性と有限要素法による音場解析
- 屈曲振動円板を用いた非接触型超音波モータのギャップ長を考慮した最適設計
- 偏光双安定VCSELを用いた光メモリの高速動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 偏光双安定VCSELを用いた光メモリの高速動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 偏光双安定VCSELを用いた光メモリの高速動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 偏光双安定VCSELを用いた光メモリの高速動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- EMD2000-33 / CPM2000-48 / OPE2000-45 / LQE2000-39 半導体光増幅器中のサブピコ秒光パルス非線形伝搬特性
- EMD2000-33 / CPM2000-48 / OPE2000-45 / LQE2000-39 半導体光増幅器中のサブピコ秒光パルス非線形伝搬特性
- EMD2000-33 / CPM2000-48 / OPE2000-45 / LQE2000-39 半導体光増幅器中のサブピコ秒光パルス非線形伝搬特性
- EMD2000-33 / CPM2000-48 / OPE2000-45 / LQE2000-39 半導体光増幅器中のサブピコ秒光パルス非線形伝搬特性
- 30a-A-6 半導体光増幅器中の短光パルス間非縮退4光波混合の時間遅延特性(III)
- 半導体光増幅器を用いたサブピコ秒光パルス間の高非縮退4光波混合
- 半導体光増幅器中の4光波混合を用いた超高速波長変換
- 半導体レーザを光変調器として用いたモード同期エルビウム添加ファイバレーザの特性
- モード同期Erドープファイバレーザの特性
- 光物理
- SOAを用いた160Gbit/s OTDM信号の時間分割/波長分割DEMUX(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- SOAを用いた160Gbit/s OTDM信号の時間分割/波長分割DEMUX(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- SOAを用いた160Gbit/s OTDM信号の時間分割/波長分割DEMUX(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- GaAs(110)基板上に作製したスピン面発光半導体レーザの発振円偏光スイッチング(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- GaAs(110)基板上に作製したスピン面発光半導体レーザの光励起円偏光発振(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- GaAs(110)基板上に作製したスピン面発光半導体レーザの光励起円偏光発振(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- GaAs(110)基板上に作製したスピン面発光半導体レーザの光励起円偏光発振(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-4-12 偏光双安定VCSELを用いた光メモリモジュールの基礎的検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-10 偏光双安定VCSELを用いた20-Gb/s RZ及び40-Gb/s NRZ信号全光型メモリ動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 偏光双安定VCSELを用いた光メモリの高速動作に向けた検討(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- GaAs(110)基板上に作製したスピン面発光半導体レーザの発振円偏光スイッチング(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 面発光半導体レーザの偏光双安定スイッチング(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待論文]面発光半導体レーザの偏光双安定スイッチング(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 偏光双安定面発光半導体レーザーによる超高速光信号処理と光バッファーへの応用 (特集 光通信のブレークスルーをめざして)
- 偏光双安定面発光半導体レーザを用いた全光学的3R中継器の動作特性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 偏光双安定面発光半導体レーザを用いた全光学的3R中継器の動作特性の解析
- 偏光双安定面発光半導体レーザを用いた全光学的3R中継器の動作特性の解析
- 偏光双安定面発光半導体レーザを用いた全光学的3R中継器の動作特性の解析
- EMD2000-36 / CPM2000-51 / OPE2000-48 / LQE2000-42 超高速偏光双安定面発光半導体レーザを用いた全光型光信号処理
- EMD2000-36 / CPM2000-51 / OPE2000-48 / LQE2000-42 超高速偏光双安定面発光半導体レーザを用いた全光型光信号処理
- EMD2000-36 / CPM2000-51 / OPE2000-48 / LQE2000-42 超高速偏光双安定面発光半導体レーザを用いた全光型光信号処理
- EMD2000-36 / CPM2000-51 / OPE2000-48 / LQE2000-42 超高速偏光双安定面発光半導体レーザを用いた全光型光信号処理
- 面発光型半導体レーザの偏光双安定動作
- 非接触駆動超音波モータの動作解析に関する考察
- A-9 直交アーム形音さジャイロの出力特性(圧電応用デバイス)
- 能動モード同期半導体レーザにおけるトレイリングパルスの光帰還による抑制
- 光ファイバによる1.5μm帯SC光発生と光パルス圧縮(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 光ファイバによる1.5μm帯SC光発生と光パルス圧縮
- 光ファイバによる1.5μm帯SC光発生と光パルス圧縮
- 光ファイバによる1.5μm帯SC光発生と光パルス圧縮
- EMD2000-35 / CPM2000-50 / OPE2000-47 / LQE2000-41 半導体光増幅器中のピコ秒光パルス間4光波混合の位相共役特性
- EMD2000-35 / CPM2000-50 / OPE2000-47 / LQE2000-41 半導体光増幅器中のピコ秒光パルス間4光波混合の位相共役特性
- EMD2000-35 / CPM2000-50 / OPE2000-47 / LQE2000-41 半導体光増幅器中のピコ秒光パルス間4光波混合の位相共役特性
- EMD2000-35 / CPM2000-50 / OPE2000-47 / LQE2000-41 半導体光増幅器中のピコ秒光パルス間4光波混合の位相共役特性
- 半導体光増幅器中の4光波混合特性のビーム伝搬法による解析
- 自励発振半導体レーザを用いる全光型クロック抽出の解析
- CS-3-3 スピン制御VCSEL(CS-3.新原理オプティクスの最近の動向,シンポジウムセッション)
- 偏光双安定性を用いた超高速光信号処理
- 酸化狭窄構造を持つ偏光双安定VCSELの全光フリップ・フロップ動作(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- C-4-2 酸化狭窄偏光双安定VCSELを用いた全光フリップ・フロップのサブmA動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-34 偏光双安定VCSELを用いた光メモリ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-26 金属ナノワイヤを用いたナノレーザ共振器の検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 半導体光増幅器中のピコ秒光パルス間4光波混合を用いた全光型多重分離特性の解析
- 半導体光増幅器中のピコ秒光パルス間4光波混合を用いた全光型多重分離特性の解析
- 半導体光増幅器中のピコ秒光パルス間4光波混合を用いた全光型多重分離特性の解析
- 長距離伝搬表面プラズモンを用いたナノレーザー (特集 持続社会を先導する光科学)
- 金属ナノワイヤ上の表面プラズモンを用いたナノレーザ (レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-4-14 金属ナノワイヤを用いたナノレーザの検討(II)(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 電子スピン緩和ダイナミクスの制御と半導体レーザの円偏光レーザ発振
- 金属ナノワイヤ上の表面プラズモンを用いたナノレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 双安定半導体レーザーによる光信号処理
- C-4-20 同一波長セット光・リセット光による偏光双安定VCSELのフリップフロップ動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-13 光導波路結合型HCG-VCSELにおける結合効率の構造依存性(II》(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-4-18 SOI基板上1.55μm帯HCG-VCSELの光励起レーザ発振(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 光導波路結合型HCG-VCSELにおける光出力特性の解析(フォトニック,NW・デバイス,フォトニック結晶,ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 光導波路結合型HCG-VCSELにおける光出力特性の解析(フォトニック,NW・デバイス,フォトニック結晶,ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 光導波路結合型HCG-VCSELにおける光出力特性の解析(フォトニック,NW・デバイス,フォトニック結晶,ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 光導波路結合型HCG-VCSELにおける光出力特性の解析(フォトニック,NW・デバイス,フォトニック結晶,ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 光導波路結合型HCG-VCSELにおける光出力特性の解析(フォトニック,NW・デバイス,フォトニック結晶,ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)