GaAs(110)上のGaAs/AlGaAs量子井戸の結晶成長と電子スピン緩和時間の評価(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
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概要
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(110)基板上のIII-V族化合物半導体量子井戸は、非常に長い電子スピン緩和時間を示すことから、スピンデバイスの有望な系として大きな注目を集めている。我々は(110)基板上スピンデバイスへの応用を目指して、分子線エピタキシー法による(110)GaAs/AlGaAs量子井戸の結晶成長条件の最適化に取り組み、約1.8nsに達する非常に長い電子スピン緩和時間を観測した。また、量子井戸界面において成長中断を導入することで、より平滑なヘテロ界面を形成することに成功し、更に長い電子スピン緩和時間を得ることができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-05-15
著者
-
河口 仁司
山形大工
-
黄 晋二
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
河口 仁司
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
揖場 聡
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
河口 仁司
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
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