SOAを用いた160Gbit/s OTDM信号の時間分割/波長分割DEMUX(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
半導体光増幅器(SOA)の4光波混合を用いて,光時分割多重信号のDEMUXを行ない,チャネル毎に異なる波長の信号として出力する構成とその実験結果を示す.動作原理は,波長とタイミングが異なる複数のポンプ光を使用し,SOAにより波長とタイミングが異なる複数の4光波混合光を生成し,バンドパスフィルタで各4光波混合光を分離する.実験では,160Gbit/s相当のOTDM信号と2つの波長の異なるポンプ光をSOAに入力し,4光波混合光の時間波形を観測した.その結果,OTDM信号からDEMUXされた,波長とタイミングが異なる2つの出力光を確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-08-22
著者
-
森 隆
科学技術振興機構 Crest:奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
河口 仁司
科学技術振興機構CREST
-
山吉 康弘
山形大学工学部電気電子工学科
-
河口 仁司
山形大工
-
河口 仁司
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
山吉 康弘
山形大工
-
山吉 康弘
山形大院
関連論文
- 私の発言 変わった現象を見たときに,『面白いからもう少し調べてみよう』という,何か余裕のようなものが研究者には欲しい
- B-12-1 偏光双安定面発光半導体レーザを用いた10Gb/s光バッファメモリ(B-12.フォトニックネットワーク,一般講演)
- C-4-4 偏光双安定面発光半導体レーザを用いた光シフトレジスタ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-28 偏光双安定面発光半導体レーザを用いた2ビット光バッファメモリ(光信号処理・波長変換,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-5 偏光双安定面発光半導体レーザを用いた1ビット光バッファメモリ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
- C-4-11 偏光双安定面発光半導体レーザを用いた全光型信号再生(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- C-4-33 SOA中のFWMを用いたOTDM信号の全光超高速スイッチング(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-4-48 SOA 中の FWM を用いた 160 Gbit/s 信号の時間分割/波長分割 DEMUX
- C-3-114 周波数領域干渉法による複数の短パルス光の位相測定
- SOAを用いた160Gbit/s OTDM信号の時間分割/波長分割DEMUX(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- 光物理
- GaAs(110)基板上に作製したスピン面発光半導体レーザの発振円偏光スイッチング(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 偏光双安定VCSELと光バッファメモリへの応用
- GaAs(110)基板上に作製したスピン面発光半導体レーザの光励起円偏光発振(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- GaAs(110)上のGaAs/AlGaAs量子井戸の結晶成長と電子スピン緩和時間の評価(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- C-4-11 長波長帯偏光双安定面発光半導体レーザを用いた光シフトレジスタ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- BS-7-2 偏光双安定面発光半導体レーザを用いた全光型バッファメモリ(BS-7. 「偏波への挑戦」〜光通信システムにおける現状と課題〜,シンポジウムセッション)
- 半導体光非線形機能デバイスの発展
- VCSELの全光型信号処理への応用 (特集 VCSELの最先端技術と応用,そして将来展望)
- 1P4-10 モード結合型LiNbO_3単結晶モータ振動子の長さ-幅寸法比の異なる設計と特性(ポスターセッション)
- モード結合型LiNbO_3単相駆動超音波モータの振動子辺比による特性について
- 山形大学における3年次学生実験への創成テーマの導入事例
- 半導体光位相共役器を用いた80Gbit/s、RZ/キャリア抑圧RZ信号光のスタンダードシングルモードファイバ200km伝送
- 半導体光位相共役器を用いた80Gbit/s、RZ/キャリア抑圧RZ信号光のスタンダードシングルモードファイバ200km伝送
- 半導体光位相共役器を用いた80Gbit/s、RZ/キャリア抑圧RZ信号光のスタンダードシングルモードファイバ200km伝送
- 定在波屈曲振動円板を用いた非接触型超音波モータの特性と有限要素法による音場解析
- 1P4-11 定在波屈曲振動円板を用いた非接触超音波モータのギャップ内音場特性の有限要素法解析(ポスターセッション)
- 3P8-28 屈曲振動円板を用いた非接触型超音波モータの回転速度特性に及ぼすギャップ長の影響(ポスターセッション)
- 屈曲振動円板を用いた非接触型超音波モータのギャップ長を考慮した最適設計
- 圧電振動子ハイパワー計測のための制動アドミッタンス消去方法に関する一検討
- 偏光双安定VCSELを用いた光メモリの高速動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 偏光双安定VCSELを用いた光メモリの高速動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 偏光双安定VCSELを用いた光メモリの高速動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 偏光双安定VCSELを用いた光メモリの高速動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- EMD2000-33 / CPM2000-48 / OPE2000-45 / LQE2000-39 半導体光増幅器中のサブピコ秒光パルス非線形伝搬特性
- EMD2000-33 / CPM2000-48 / OPE2000-45 / LQE2000-39 半導体光増幅器中のサブピコ秒光パルス非線形伝搬特性
- 光物理
- 1Pb-19 大振幅振動の圧電共振子の計測システムに関する検討(ポスターセッション)
- SOAを用いた160Gbit/s OTDM信号の時間分割/波長分割DEMUX(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- SOAを用いた160Gbit/s OTDM信号の時間分割/波長分割DEMUX(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- SOAを用いた160Gbit/s OTDM信号の時間分割/波長分割DEMUX(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- GaAs(110)基板上に作製したスピン面発光半導体レーザの発振円偏光スイッチング(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- GaAs(110)基板上に作製したスピン面発光半導体レーザの光励起円偏光発振(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- GaAs(110)基板上に作製したスピン面発光半導体レーザの光励起円偏光発振(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- GaAs(110)基板上に作製したスピン面発光半導体レーザの光励起円偏光発振(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-4-12 偏光双安定VCSELを用いた光メモリモジュールの基礎的検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-10 偏光双安定VCSELを用いた20-Gb/s RZ及び40-Gb/s NRZ信号全光型メモリ動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 偏光双安定VCSELを用いた光メモリの高速動作に向けた検討(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- GaAs(110)基板上に作製したスピン面発光半導体レーザの発振円偏光スイッチング(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 偏光双安定面発光半導体レーザーによる超高速光信号処理と光バッファーへの応用 (特集 光通信のブレークスルーをめざして)
- 偏光双安定面発光半導体レーザを用いた全光学的3R中継器の動作特性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 偏光双安定面発光半導体レーザを用いた全光学的3R中継器の動作特性の解析
- 偏光双安定面発光半導体レーザを用いた全光学的3R中継器の動作特性の解析
- 偏光双安定面発光半導体レーザを用いた全光学的3R中継器の動作特性の解析
- EMD2000-36 / CPM2000-51 / OPE2000-48 / LQE2000-42 超高速偏光双安定面発光半導体レーザを用いた全光型光信号処理
- EMD2000-36 / CPM2000-51 / OPE2000-48 / LQE2000-42 超高速偏光双安定面発光半導体レーザを用いた全光型光信号処理
- EMD2000-36 / CPM2000-51 / OPE2000-48 / LQE2000-42 超高速偏光双安定面発光半導体レーザを用いた全光型光信号処理
- EMD2000-36 / CPM2000-51 / OPE2000-48 / LQE2000-42 超高速偏光双安定面発光半導体レーザを用いた全光型光信号処理
- 非接触駆動超音波モータの動作解析に関する考察
- A-9 直交アーム形音さジャイロの出力特性(圧電応用デバイス)
- 3P-41 音響結合を利用した2重円板ロータをもつ非接触型超音波モータの特性(ポスターセッション)
- 光ファイバによる1.5μm帯SC光発生と光パルス圧縮(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 光ファイバによる1.5μm帯SC光発生と光パルス圧縮
- 光ファイバによる1.5μm帯SC光発生と光パルス圧縮
- 光ファイバによる1.5μm帯SC光発生と光パルス圧縮
- EMD2000-35 / CPM2000-50 / OPE2000-47 / LQE2000-41 半導体光増幅器中のピコ秒光パルス間4光波混合の位相共役特性
- EMD2000-35 / CPM2000-50 / OPE2000-47 / LQE2000-41 半導体光増幅器中のピコ秒光パルス間4光波混合の位相共役特性
- EMD2000-35 / CPM2000-50 / OPE2000-47 / LQE2000-41 半導体光増幅器中のピコ秒光パルス間4光波混合の位相共役特性
- EMD2000-35 / CPM2000-50 / OPE2000-47 / LQE2000-41 半導体光増幅器中のピコ秒光パルス間4光波混合の位相共役特性
- 半導体光増幅器中の4光波混合特性のビーム伝搬法による解析
- CS-3-3 スピン制御VCSEL(CS-3.新原理オプティクスの最近の動向,シンポジウムセッション)
- 偏光双安定性を用いた超高速光信号処理
- 酸化狭窄構造を持つ偏光双安定VCSELの全光フリップ・フロップ動作(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- C-4-2 酸化狭窄偏光双安定VCSELを用いた全光フリップ・フロップのサブmA動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-34 偏光双安定VCSELを用いた光メモリ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-26 金属ナノワイヤを用いたナノレーザ共振器の検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 半導体光増幅器中のピコ秒光パルス間4光波混合を用いた全光型多重分離特性の解析
- 半導体光増幅器中のピコ秒光パルス間4光波混合を用いた全光型多重分離特性の解析
- 半導体光増幅器中のピコ秒光パルス間4光波混合を用いた全光型多重分離特性の解析
- 2C-4 圧電振動子のB型共振諸定数の大振幅特性測定法(圧電応用デバイス・振動子)
- 長距離伝搬表面プラズモンを用いたナノレーザー (特集 持続社会を先導する光科学)
- 金属ナノワイヤ上の表面プラズモンを用いたナノレーザ (レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-4-14 金属ナノワイヤを用いたナノレーザの検討(II)(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 電子スピン緩和ダイナミクスの制御と半導体レーザの円偏光レーザ発振
- 金属ナノワイヤ上の表面プラズモンを用いたナノレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 双安定半導体レーザーによる光信号処理
- C-4-20 同一波長セット光・リセット光による偏光双安定VCSELのフリップフロップ動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-13 光導波路結合型HCG-VCSELにおける結合効率の構造依存性(II》(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-4-18 SOI基板上1.55μm帯HCG-VCSELの光励起レーザ発振(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 光導波路結合型HCG-VCSELにおける光出力特性の解析(フォトニック,NW・デバイス,フォトニック結晶,ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 光導波路結合型HCG-VCSELにおける光出力特性の解析(フォトニック,NW・デバイス,フォトニック結晶,ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 光導波路結合型HCG-VCSELにおける光出力特性の解析(フォトニック,NW・デバイス,フォトニック結晶,ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- C-4-8 1.55-μm帯偏光双安定VCSELを用いた全光型ヘッダ識別による光パケットスイッチング(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- 光導波路結合型HCG-VCSELにおける光出力特性の解析(フォトニック,NW・デバイス,フォトニック結晶,ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 光導波路結合型HCG-VCSELにおける光出力特性の解析(フォトニック,NW・デバイス,フォトニック結晶,ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)