偏光双安定VCSELを用いた光メモリの高速動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
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概要
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偏光双安定VCSELの発振偏光状態として情報を記録する光バッファメモリの高速動作について評価した。バッファメモリの高速動作のためには、制御入力光の周波数離調及び強度の適切な設定が必要である。今回、980nm帯VCSELを用いて、20Gb/sの2^6-1ビットRZ擬似ランダム信号中の任意の1ビットの記録と、40Gb/sの6ビットNRZ符号信号中の任意の1ビットの記録に成功した。これらは、フリップ・フロップ型全光メモリの動作としては現在最高速のものである。この時の入力光信号強度は共に250μWであり、VCSELの出力光強度よりも弱く、光利得をもつ。将来の全光型ネットワークのキーデバイスとして期待できる。
- 2010-08-19
著者
-
坂口 淳
電気通信大学電子工学科
-
河口 仁司
山形大工
-
片山 健夫
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
河口 仁司
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
坂口 淳
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
坂口 淳
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
-
片山 健夫
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
-
河口 仁司
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
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