GaAs(110)基板上に作製したスピン面発光半導体レーザの発振円偏光スイッチング(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
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概要
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スピン面発光半導体レーザ(Spin VCSEL)は、活性層中の光学遷移選択則を介して電子のスピン偏極に依存した発振偏光が得られるため、スピントロニクスにおける情報の担い手である電子スピンを直接光信号に変換することが可能であり、量子情報システムや光インターコネクションなどへの応用が期待されている。我々はこれまでに、電子スピン緩和時間が非常に長いGaAs(110)基板上の量子井戸を用いたVCSELを作製し、光励起により77Kにおいて0.94という高い円偏光度での発振に成功しているが、今回、その発振円偏光のスイッチング特性について検討し、1GHzでのスイッチングが可能であることを示した。
- 2009-10-15
著者
-
池田 和浩
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
黄 晋二
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
片山 健夫
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
河口 仁司
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
片山 健夫
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
-
池田 和浩
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
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