注入変調半導体レーザーからの倍周期パルス発振の観測
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概要
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緩和振動周波数付近で注入変調したAlGaAs半導体レーザーから発生する光パルスをストリークカメラを用いて観測し、パルスピークに関して発振特性を調べた。直流バイアス電流を走査することによって描いたパルスピークの分布図には、倍周期パルス発振領域が明確に存在することを確認した。一方、従来の数値解析で報告されているカオス的不安定発振は、今回用いた半導体レーザーからは観測されなかった。この原因として、キャリア密度依存性を持つキャリア緩和時間の寄与が大きいことを、レート方程式を用いた解析によって数値的に見積もった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-01-18
著者
-
和田 健司
大阪府立大学工学研究科
-
山本 信行
大阪府立大学工学部
-
山本 信行
大阪府大院工
-
堀中 博道
大阪府立大学
-
堀中 博道
大阪府立大学工学研究科電子物理工学分野
-
赤毛 勇一
大阪府立大学 工学部
-
張 吉夫
岡山県立大学
-
張 吉夫
応用光電研究室
-
山本 信行
大阪府立大学大学院工学研究科
-
張 吉夫
阪大産研
-
和田 健司
阪府大・工
-
石原 清仁
大阪府立大学 工学部
-
和田 健司
大阪府立大学 大学院工学研究科
-
Wada K
Osaka Prefecture University
-
和田 健司
大阪府立大学
-
張 吉夫
大阪府立大学・工
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