高濃度ベース層を有するセルフアライン型SiGe HBT
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概要
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SiGe HBTの特性向上には, 高い注入効率を利用してベース層を1×10^<19> cm^<-3>以上に高濃度化することが有効である。これにより, ベース幅を狭くしてもベース抵抗の上昇を抑えることが出来る。今回このようなSiGe HBTを, 選択エピタキシャル成長技術を用いたセルファライン構造で実現し, 良好な特性を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
西川 哲
沖電気工業(株)半導体技術研究所
-
藤巻 浩和
沖電気工業株式会社
-
伊藤 秀二
沖電気
-
伊藤 秀二
沖電気工業(株)半導体技術研究所
-
中村 稔之
沖電気工業(株)半導体技術研究所
-
沖田 佳久
沖電気工業(株)デバイスビジネスグループ
-
藤巻 浩和
沖電気工業(株)デバイスビジネスグループ
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伊藤 秀二
沖電気工業
-
中村 稔之
沖電気工業
-
西川 哲
沖電気工業 (株) 基盤技術研究所
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