グロ-放電a-Si:H薄膜のアニ-ル効果

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概要

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• Annealing effects on photoconductive, morphologic and IR absorptional properties of glow discharge a-Si:H films are investigated. Samples are decomposited with pure silane changing two decomposition parameters, growth rate and substrate temperature (<I>T<SUB>s</SUB></I>).<BR>Photoconductivity (σ<I><SUB>P</SUB></I>) of low <I>T<SUB>s</SUB></I> samples is extremely low but steeply increases by 3 orders at certain <I>T<SUB>s</SUB></I> as <I>T<SUB>s</SUB></I> is raised, and the turning <I>T<SUB>s</SUB></I> depends on the growth rate.<BR>The σ<I><SUB>P</SUB></I> of the low <I>T<SUB>s</SUB></I> samples increases by 12 orders with annealing up to250°C. This large change corresponds to the disappearance of the grain boundary observed by TEM.<BR>Dark conductivity (σ<SUB>d</SUB>) at room temperature shows various transport mechanism depending on the deposition condition.<BR>Localized states density at <I>E<SUB>f</SUB></I> estimated from γ (σ<SUB>P</SUB>∝F<SUP>γ</SUP>, <I>F</I> : intensity) decreases as <I>T<SUB>s</SUB></I> is raised or annealed up to 150250°C.<BR>These results are discussed in some detail.

• 日本真空協会の論文

著者

• 岩渕 俊之

  沖電気工業(株)

• 西川 哲

  沖電気工業 (株) 基盤技術研究所

• 上西 勝三

  沖電気工業 (株) 基盤技術研究所

• 柿沼 弘明

  沖電気工業 (株) 基盤技術研究所

• 渡辺 宦

  沖電気工業 (株) 基盤技術研究所

• 岩渕 俊之

  沖電気工業 (株) 基盤技術研究所

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