西川 哲 | 沖電気工業 (株) 基盤技術研究所

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• 西川 哲

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• 藤巻 浩和

  沖電気工業株式会社

• 伊藤 秀二

  沖電気

• 伊藤 秀二

  沖電気工業(株)半導体技術研究所

• 落合 利幸

  沖電気工業(株)研究開発本部半導体技術研究所

• 松橋 秀明

  沖電気工業(株)研究開発本部半導体技術研究所

• 中村 稔之

  沖電気工業(株)半導体技術研究所

• 沖田 佳久

  沖電気工業(株)デバイスビジネスグループ

• 藤巻 浩和

  沖電気工業(株)デバイスビジネスグループ

• 伊藤 秀二

  沖電気工業

• 落合 利幸

  沖電気工業 半導体技研

• 中村 稔之

  沖電気工業

• 村上 忠正

  沖電気工業(株)研究開発本部半導体技術研究所

• 法元 寛

  沖電気工業(株)研究開発本部半導体技術研究所

• 土方 由美子

  沖電気工業(株)デバイスビジネスグループ

• 法元 寛

  沖電気工業

• 岩渕 俊之

  沖電気工業(株)

• 上西 勝三

  沖電気工業 (株) 基盤技術研究所

• 柿沼 弘明

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• 渡辺 宦

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• 岩渕 俊之

  沖電気工業 (株) 基盤技術研究所

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著作論文

• 0.15μmCMOSトランジスタを用いた低電力プリアンプIC
• 0.14μm CMOSトランジスタを用いた1:8 DEMUX
• 高濃度ベースセルフアライン型SiGe HBTにおけるGe組成の検討
• 高濃度ベース層を有するセルフアライン型SiGe HBT
• グロ-放電a-Si:H薄膜のアニ-ル効果

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