2.5GHz電圧制御発振器の発振帯域自動調整
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2004-01-23
著者
-
藤田 研
沖電気
-
藤田 研
沖電気工業(株)シリコンソリューションカンパニーrf商品開発部
-
伊藤 秀二
沖電気
-
伊藤 秀二
沖電気工業(株)半導体技術研究所
-
SENG Yap
Oki Techno Centre (Singapore)
-
伊東 昌章
Oki Techno Centre (Singapore)
-
伊藤 秀二
沖電気工業
-
伊東 昌章
Oki Techno Center Singapore (otcs)
関連論文
- 低歪みPower BP-MESFET
- 高濃度ベースセルフアライン型SiGe HBTにおけるGe組成の検討
- 高濃度ベース層を有するセルフアライン型SiGe HBT
- サファイア上シリコン基板に集積した1.5V-28mW GPS受信回路
- サファイア上シリコン基板に作製した1.6GHz電圧制御発振器
- シリコン・オン・サファイア(SOS)技術を用いた高周波無線回路の開発 (デバイス特集)
- 2.5GHz電圧制御発振器の発振帯域自動調整
- 高周波無線回路の開発例
- ワイヤレスLSI商品を実現するRF回路技術 (e社会を支える技術特集) -- (特集記事「安全に・確実に・適正な価格で(ネットワークの質の充実)」)
- SOI-CMOSデバイス技術 (21世紀のソリューション特集) -- (シリコンソリューション)
- シングルチップBluetooth RFトランシーバLSI (「VLSI一般」)
- 0.2μmゲ-ト超低雑音Pseudomorphic HEMT