SC-8-9 次世代低温Poly-Si TFT用のゲート絶縁膜技術
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-03-07
著者
-
中田 行彦
株式会社液晶先端技術開発センター
-
岡本 哲也
株式会社液晶先端技術開発センター
-
東 和文
(株)液晶先端技術開発センター
-
後藤 真志
株式会社液晶先端技術開発センター
-
中田 行彦
株式会社 液晶先端技術開発センター
-
東 和文
株式会社 液晶先端技術開発センター
-
岡本 哲也
株式会社 液晶先端技術開発センター
-
後藤 真志
株式会社 液晶先端技術開発センター
関連論文
- B-1-207 金属柵・真空窓を有するプラズマ励振用1m^2級一層構造導波管スロットアレーの設計(B-1. アンテナ・伝播B(アンテナ一般), 通信1)
- シリコンの低温酸化膜の組成・構造遷移層の酸化プロセス依存性(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 光酸化膜とSiH_4とN_2OガスからのPECVD膜を積層した低温多結晶Si薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
- 液晶用高性能薄膜トランジスタに用いる光酸化とプラズマCVDの積層低温ゲート絶縁膜 (特集 液晶)
- 光またはプラズマ励起酸素原子による低温酸化と多結晶Si薄膜トランジスタへの応用
- B-1-213 プラズマ励振用 1m^2 級一層構造導波管アレーの開口分布測定
- SC-8-9 次世代低温Poly-Si TFT用のゲート絶縁膜技術
- シリコンの低温酸化膜の組成・構造遷移層の酸化プロセス依存性
- ラジカル酸化および熱酸化により形成した極薄シリコン酸化膜中の電子の脱出深さ(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 金属柵・真空窓を有するプラズマ励振用1m^2級一層構造導波管スロットアレーの設計
- 次世代TFT作製に向けたシリコン結晶化技術
- 次世代TFT用シリコン薄膜結晶化技術