B-6-24 入力バッファ型ATMスイッチにおけるセル廃棄過程のシミュレーションによる検討
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概要
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ATM伝送方式は、従来の網に比べて品質面での多様化を目指している。このためセル廃棄過程における品質劣化要因の抑圧が課題となる。本稿では、伝送品質劣化要因のひとつであるセル廃棄に着目し、入力バッファ型ATMスイッチ(図1)にIPPトラヒックを流したときの廃棄連続特性について検討し、その廃棄過程を近似モデルに変換する。またIPPトラヒックのオン/オフ比を変化させた場合についても検討する。
- 1999-03-08
著者
-
北見 徳廣
明治大学理工学部電子通信工学科
-
川原山 和浩
明治大学理工学部電子通信工学科
-
川田 良男
明治大学理工学部電子通信工学科
-
青木 俊博
明治大学理工学部電子通信工学科
-
澁谷 知範
明治大学理工学部電子通信工学科
-
北見 徳廣
明治大学理工学研究科通信システム研究室
-
北見 徳廣
明示大学理工学部電子通信工学科
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