SiON (P-CVD法)系光導波路の熱処理による低損失化
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概要
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光受動部品の小型・低損失化・低コスト化を目指して, コアとクラッドの比屈折率差Δが0.8%以上の高Δ導波路型光部品の開発を進めている。コア膜およびクラッド膜の作製には組成制御の点で優れているP-CVD法用い, 膜形成技術の検討を行っている。P-CVD法は原料ガスにSiH_4, NH_3, O_2用いるため, 膜中に多量の水素(〜10^<20>atoms/cm^3)か含まれ, O-H基による1.39μm帯の吸収損失あるいはSi-H基による1.49μm帯の吸収損失が生じる。今回その吸収損失の軽減の視点より熱処理効果を検討したのでその結果を報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
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大久保 博行
日立電線株式会社技術研究所エレクトロニクス研究開発センタ
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井本 克之
日立電線アドバンスリサーチセンタ
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井本 克之
日立電線株式会社
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大久保 博行
東北大学未来科学技術共同研究センター
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大久保 博行
日立電線(株)オプトロシステム研究所
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堀 彰弘
日立電線アドバンスリサーチセンタ
-
堀 彰弘
日立電線株式会社アドバンスリサーチセンタ
-
於曽能 啓一
日立電線株式会社アドバンスリサーチセンタ
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