TEOS低温プラズマCVDによる石英PLCカプラの開発

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概要

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近年、FTTH実現のためにWDM機能を有する石英PLC(Planar Lightwave Circuit)カプラの開発が積極的に行われている。代表的な石英PLCカプラの製作方法としては、[l]火炎堆積法、[2]SiH_4-LPCVD法が知られている。しかし、[1]の方法は電気炉で二酸化ケイ素の堆積粉末を1000℃以上の高温でガラス化するというかなり難しい制御技術を必要とする。[2]の方法は、高圧のSiH_4ガスを管理する必要があり、安全管理上極めて注意を要するという問題を持つ。我々は、TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate)をソースとして用いた低温プラズマCVD法により、フッ素をドープした二酸化ケイ素膜を58μmの厚みで形成することにより良好な石英PLCカプラを作製できることを確認したので報告する。
社団法人電子情報通信学会の論文
1996-03-11

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