MEMS可変インダクタを用いたリコンフィギュラブルRF回路技術(センサデバイス・MEMS・一般)
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概要
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Si CMOS技術によるマルチスタンダード無線回路の実現に向けて, リコンフィギュラブルRF回路技術を研究している.本稿では, リコンフィギュラブルRF回路技術を実現する上で, 有用な素子の一つである可変インダクタについて報告する.オンチップで通常用いられるスパイラルインダクタと導体板により可変インダクタを構成する.導体板をMEMSアクチュエータで移動させ, インダクタンスを変化させる.可変インダクタは, 6.4nHから3.9nHのインダクタンスの変化を実測により確認した.可変インダクタを用いたVCOでは, 1.9GHzから3.4GHzの周波数発振範囲を実測により確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-08-26
著者
-
岡田 健一
Tokyo Inst. Of Technol. Yokohama‐shi Jpn
-
益 一哉
東京工業大学
-
岡田 健一
東京工業大学
-
菅原 弘雄
東京工業大学精密工学研究所
-
菅原 弘雄
東京工業大学統合研究院
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