ミリ波帯CMOS基板上伝送線路型スパイラルインダクタの電磁界解析と実測による検証(マイクロ波信号発生と計測技術/マイクロ波一般)
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概要
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ミリ波帯CMOS基板上伝送線路型スパイラルインダクタの特性を効率的に電磁界シミュレーションで予測するためのモデリングについて検討した。シリコン基板が見える構造ではシリコン表面のシリサイド、ウェル、拡散層のモデリングが重要であることがわかった。1.5周伝送線路型スパイラルインダクタの損失を調べ、線路間の間隔が20μm以上になると、線路部、コーナー部、交差部の2ポートSパラメータを接続した結果は全体構造の電磁界解析結果と一致し、線路間の結合が無視できて長さが同じ直線状線路と同一の特性となることがわかった。また、伝送線路型半周スパイラルインダクタの実測値からインダクタンス値、抵抗値、Q値を抽出し、損失が少ない線路ほどQ値が高いことがわかった。
- 2011-06-16
著者
-
安藤 真
東京工業大学大学院理工学研究科
-
安藤 真
東京工業大学
-
平野 拓一
東京工業大学
-
岡田 健一
Tokyo Inst. Of Technol. Yokohama‐shi Jpn
-
広川 二郎
東京工業大学大学院電気電子工学専攻
-
広川 二郎
東京工業大学
-
岡田 健一
東京工業大学
-
安藤 真
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
安藤 真
東京工業大学理工学研究科
-
広川 二郎
東京工業大学理工学研究科
-
浅野 隼
東京工業大学大学院電気電子工学専攻
-
平野 拓一
東京工業大学大学院理工学研究科
-
平野 拓一
東京工業大学大学院理工学研究科国際開発工学専攻
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